Литијум-јонски Повервалл

Обично се соларне ћелије кристалног силицијума производе на висококвалитетним силиконским плочицама - дебљине 350-450 μм, резане од извучених или ливених силицијумских ингота.

Горе наведене методе заправо троше више силицијумског материјала. Да би се сачувао материјал, хемијско таложење паре (ЦВД) је тренутно најчешћа метода која се користи за производњу ћелија танког филма од поликристалног силицијума-, укључујући ниско{2}}хемијско таложење паре ниског притиска (ЛПЦВД) и плазма-побољшано хемијско таложење паре (ПЕЦВД). Епитаксија{5}}течне фазе (ЛППЕ) и таложење распршивањем се такође могу користити за производњу ћелија танког филма од поликристалног силицијума{6}}.

ЦВД првенствено користи СиХ2Цл2, СиХЦл3, СиЦл4 или СиХ4 као реактантни гас. Под заштитном атмосфером, атоми силицијума реагују да формирају атоме силицијума, који се затим таложе на загрејану подлогу. Материјали супстрата обично укључују Си, СиО2 и Си3Н4. Међутим, истраживања су показала да је формирање великих зрна на подлогама које нису -силицијумске тешко, а празнине између зрна се лако формирају.

Решење овог проблема је да се прво нанесе танак слој аморфног силицијума на подлогу помоћу ЛПЦВД, а затим овај слој жари да би се добила већа зрна. Дебели поликристални силицијумски танки филмови се затим наносе на овај кристал. Стога је технологија рекристализације несумњиво кључни корак. Тренутно, главне технологије које се користе су кристализација у чврстој{3}}фази и рекристализација у средњој{4}}зони топљења. Поред процеса рекристализације, ћелије са танким{6}}филмом од поликристалног силицијума такође користе скоро све технике које се користе за производњу соларних ћелија од једног{7}}кристалног силицијума. Ово значајно побољшава ефикасност конверзије добијених соларних ћелија.